一、文档概述

本文聚焦非易失性存储器（NVM）单元表征与MOSFET晶体管测试的核心技术，介绍关键存储类型、测试痛点及适配测试仪器，为相关电子元件研发与检测提供技术参考。

二、核心存储与测试相关内容

（一）主流NVM类型

（二）MOSFET测试痛点与方案

现代MOSFET采用高κ材料作电介质，易出现电荷俘获问题，导致阈值电压不稳定。直流测量因电荷俘获时间跨度大而失真，脉冲I-V测量为有效方案。其测试可通过双通道仪器实现，栅极与漏极通道分别施压，扫描获取特性曲线（插入MOSFET三端I-V测试配置示意图位置）。

（三）三类脉冲I-V测量方式

1. 直流I_d-V_g曲线：易受电荷俘获影响，不适用于高速器件；

2. 短脉冲曲线：纳秒级脉冲可测器件本征响应，但无法捕捉电荷俘获信息；

3. 慢脉冲曲线：微秒级脉冲可观测电流衰减，兼顾器件特性与寿命预测。

三、适配测试仪器

Active Technologies的PG-1000脉冲发生器是理想激励源。其时间分辨率达10皮秒，振幅最高5Vpp，基线偏移±2.5V，脉冲宽度范围300皮秒至1秒，可灵活调整脉冲参数。既能匹配STT-MRAM、PCM等NVM单元的编程与擦除测试，也能满足MOSFET各类脉冲表征需求，助力提升测试精准度与效率。

PG-1000脉冲发生器主要指标：

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